在 JEDEC 更新 HBM 資訊後，Samsung Electronics 有了新動作。
Samsung Electronics 在 19 日宣佈，公司開始量產 4GB 封裝的第二代 High Bandwidth Memory（HBM2）。
4GB HBM2 DRAM 採用 Samsung Electronics 20nm 製程以及 TSV 記憶體技術；每顆 4GB HBM2 DRAM 由 4 顆 8Gb 顆粒所組成。全新的 HBM2 有著 256GBps 的頻寬，若與 HBM 相比，這頻寬量可說是多了一倍，至於和 36GBps 的 4Gb GDDR5 顆粒進行比較，HBM2 的頻寬是 7 倍之多。
目前 4GB HBM2 將會在 HPC、顯示卡以及企業及伺服器的網路系統上被採用。
同時，Samsung Electronics 預計會在 2016 年釋出 8GB 版本的 HBM2，而相關產品若被運用在繪圖卡上，使用者可以獲得比 GDDR5 更強大的效能以及更小的體積。
依照早前的資訊，AMD 的 HBM 為 SK Hynix 供應，至於 NVIDIA 則是與 Samsung Electronics 合作。
