在 COMPUTEX 2026 開展前,SMI 發布 SM2524XT 固態硬碟控制器訊息,強調這是款專為 AI 推論與高強度 KV Cache工作負載,進行最佳化設計的 PCIe 5.0 NVMe、DRAM-less 控制晶片。

從當時的新聞稿描述內容來看,SM2524XT 容易讓人和商用聯想在一塊,並不像是款消費性或說終端產品。SMI 藉著 COMPUTEX 2026 展期詳細介紹 SM2524XT,指出 SM2524XT 是 SM2504XT 後續產品,架構設計與支援規格經過強化,性能表現與電源效率都進一步提升。
SM2524XT 採用 PCIe 5.0、DRAM-less、4 通道介面架構設計,核心處理器升級成 4 核心 Coretex-R8,並支援更新的 NVMe 2.1 規範,而快閃記憶體介面速率支援更提高到 4,800MT/s。如同 SM2504XT,可搭配 TLC / QLC 3D NAND,支援 SCA(Separate Command Address)的顆粒選擇性也會比先前多一點。

集合這些變動於一身,SM2524XT 設計參考性能像循序存取最高可達讀取 14GB/s、寫入 12GB/s,至於 4K 隨機存取為 2,500,000IOPS,片面性能和 SM2504XT 相較之下提高 9.x%~47.x% 不等。由於同樣透過台積電 6nm 先進製程生產,電源效率和 SM2504XT 相較提高約 25%,可提供近乎 8 通道高階產品 SM2508 的性能體驗。


不過這些性能指標存在但書,SMI 指出需要搭配最新世代高性能顆粒,且同時支援 SCA 才能達到 14GB/s 級距性能,反之會和 11GB/s 級距的 SM2504XT 相仿。SCA 架構簡單來說,控制器和快閃記憶體兩者之間,指令與位址採用獨立傳輸路徑設計,由於得以同時進行資料存取,能進一步提高快閃記憶體介面效能。


SM2524XT 重要賣點之一是電源效率,SMI 表示 SM2508 模組整體功耗約 7W,但 SM2524XT 與 SM2504XT 都降至 5W 以下。以電源效率評估角度來看,實測每瓦特能貢獻多少 GB 傳輸速度,SM2508 約 2GB/s、SM2504XT 在 2.5GB/s 左右,而 SM2524XT 將能夠達到近乎 3GB/s。
以相對簡單直覺的模組功耗來看,SM2508 存取速度 14GB/s 級距是大約 7W,SM2504XT 存取速度 11GB/s 級距只需要 4.5~5W,SM2524XT 存取速度 14GB/s 級距的功耗可控制在 <5W。那麼 ≤5W 是怎樣的概念呢?這比許多 PCIe 4.0 NVMe 世代產品來得低。
當模組功耗降低、電源效率提高,意味模組的散熱需求也會降低不等程度,所以 SM2504XT 和 SM2524XT 都強調在筆電等行動裝置的可用性。SMI 並不諱言,SM2508 溫度固然明顯比 12nm 競爭產品低,仍然需要一定規模的散熱片伺候,因此還是適合桌機應用環境。
反觀 SM2504XT 與 SM2524XT,也很適合筆電等行動裝置應用,同時有助於延長電池續航力。再者,由於模組產品本身運作溫度不高,觸發過熱保護機制的機率相對也會降低(或說餘裕空間較大),因此模組即便因故導致溫度偏高(例如設備裝置散熱設計不佳… …),能夠維持高速度運作的時間亦會比較長。


SM2524XT 還支援 PI-LTT(Power Isolated Low-Tapped Termination),快閃記憶體得以傳統 1.2V,或是更低的 0.6V 電壓驅動,另外也針對 AI 應用進行一些效能最佳化等。SMI 預計下半年正式量產 SM2524XT 晶片,早鳥產品最快在 2027 年年初出現,但還得視最新世代快閃記憶體顆粒供貨時程而定。



不過有點讓人困惑的是,SMI 曾表示台積電 6nm 製程要價不菲,像 SM2508 就不會規劃同世代接替產品。然而 SM2504XT 應用產品今年才正要陸續上市,此時又發布 SM2524XT 產品計畫,顯得有些衝突感。SMI 除了透過前述規格變動之處,介紹性能與電源效率等種種好處,也進一步和媒體分享細故。
其一關鍵是產品定位,SMI 指出 SM2508、SM2504XT 與 SM2524XT 這 3 款 PCIe 5.0 NVMe 控制器,性能差異自然形成了定位區隔。另外如前述,電源效率也左右合適應用範疇,基本上並不至於網內互打。待 SM2524XT 正式量產,SM2504XT 不會快速走進歷史,客戶得以依照產品定位、目標市場、成本考量等條件,選擇相對合適的控制器。
| 設計參考規格 | SM2508 | SM2504XT | SM2524XT |
| 介面 | PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0 | PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0 | PCIe 5.0 x4、NVMe 2.1 |
| 處理器 | 四核心 ARM Cortex-R8 | 三核心 ARM Cortex-R8 | 四核心 ARM Cortex-R8 |
| NAND 通道 / CE | 8 通道 / 32CE | 4 通道 / 16CE | 4 通道 / 16CE |
| NAND 支援 | TLC / QLC 3D NAND | TLC / QLC 3D NAND | TLC / QLC 3D NAND |
| NAND 介面速率 | 3,600MT/s | 3,600MT/s | 4,800MT/s |
| DRAM | DDR4、LPDDR4 | DRAM-less、HMB | DRAM-less、HMB |
| SCA 支援 | x | ✓ | ✓ |
| 循序存取性能 | 讀取 14.5GB/s | 讀取 11.5GB/s | 讀取 14GB/s |
| 寫入 14GB/s | 寫入 11GB/s | 寫入 12GB/s | |
| 隨機存取性能 | 讀取 2.5M IOPS | 讀取 1.7M IOPS | 讀取 ≥2.2M IOPS |
| 寫入 2.5M IOPS | 寫入 2.0M IOPS | 寫入 ≥2.2M IOPS | |
| ASIC 功耗 | 主動模式 3.5W (最大值) | 主動模式 2.4W (典型值) | 主動模式 2.5W (典型值) |
| PS4 模式 <2.0mW | PS4 模式 <1.0mW (典型值) | PS4 模式 <1.0mW (典型值) |
SMI 表示像主攻 SI、ODM 市場的客戶很重視成本,SM2504XT 當前已開案產品大多採用 TLC 3D NAND,未來隨著 SM2524XT 登場,不排除 SM2504XT 會紛紛改成搭配 QLC 3D NAND 這可能性。
至於 SM2524XT 可能會被視為 SM2508 替代產品,由於可以提供相近的性能體驗,再加上成本(少了 DRAM)與電源效率等特點,大舉搶占 SI、ODM 乃至於筆電等應用市場。當然了,這是在快閃記憶體成本高漲的當下,依據市場狀況與客戶反饋所進行預估,未來不排除會有變化產生。