本週於SPIE光罩技術暨極紫外光微影研討會（SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography）上，英特爾晶圓代工與ASML分享將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術持續導入生產，以及未來將擴大應用的最新技術進展。
英特爾晶圓代工與ASML具體分享以下最新進展：
• High NA已應用於英特爾晶圓代工的高量產製造：從早期設備的認證與測試、研發，到代號為 Panther Lake 的 Intel® Core™ Ultra Series 3 處理器部分特定層的量產，迄今累計超過100萬片晶圓採用相關製程；其疊對精度（overlay）、產能（throughput）及設備可用率（availability）均達到英特爾晶圓代工的預期。
• 採用Intel 18A製程生產、並於特定層使用High NA 的產品，其表現持續達到甚至超越採用NXE平台（數值孔徑0.33的EUV）製作的對應層。
• 客戶可透過業界現行的光罩規格，實現High NA帶來的效益：無論是6吋光罩範圍內進行平面規劃（floor-planning），或採用英特爾晶圓代工的拼接技術與製程設計套件（PDK）解決方案。
• 三年多來，英特爾晶圓代工積極倡議大尺寸光罩規格，推動光罩生態系偕同發展：英特爾晶圓代工與ASML、光罩製造商、自動化設備供應商、電子設計自動化（EDA）合作夥伴、材料供應商及半導體製造商密切合作，共同推進未來High NA規模化發展所需的標準、基礎設施與技術。
ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示：「從2024年安裝首套商用EXE系統、完成最新一代設備認證，到出貨首款採用High NA製造的高量產邏輯產品，英特爾晶圓代工一直是引領產業採用High NA的關鍵業者之一。ASML肯定英特爾晶圓代工在High NA領域的先驅地位，以及其透過6吋光罩的創新方案為客戶創造即時價值的成果，同時也感謝英特爾代工長期支持光罩朝6 × 12吋規格演進。」
英特爾執行副總裁暨英特爾晶圓代工共同總經理Naga Chandrasekaran表示：「面對日益複雜的AI產品，企業需要已具備量產條件、且易於使用的製造創新技術。在微影技術方面，英特爾晶圓代工近期專注於支援客戶在6吋光罩上採用High NA EUV，無論是否採用拼接技術，同時推動至6×12吋光罩轉型。我們將持續與ASML及整個產業緊密合作，共同推動這項轉型。」
英特爾晶圓代工與ASML將在雙方多年合作的基礎上，進一步凝聚微影生態系統，共同推動更大尺寸光罩規格發展，並促進未來擴展High NA EUV應用所需的標準、基礎設施與技術進步。透過與光罩製造商、自動化設備供應商、EDA合作夥伴、材料供應商及半導體製造商的共同合作，雙方協助確立產業採用大尺寸光罩的發展方向，同時讓客戶現階段即可獲得High NA EUV帶來的效益。
本週於SPIE光罩技術暨極紫外光微影技術研討會上，英特爾晶圓代工與ASML將分享關於光罩拼接（reticle stitching）技術的最新進展，這項技術可讓設計人員沿用目前標準的6吋光罩，實現High NA EUV應用。
ASML的Jan van Schoot將於太平洋時間9月8日（星期二）上午11點發表主題為「支援半視場拼接的掃描器與光罩需求」（Scanner and mask requirements to support half field stitching）的演說；隨後，英特爾晶圓代工的Kimberly Pierce將於同場次上午11點20分發表主題為「High-NA EUV：量產應用的拼接技術」（High-NA EUV: stitching for manufacturing）的演說。
