iPhone 6s 的進步不單單只有在處理器、相機以及 3D Touch 上…

3 日銷售創下 1,300 萬台,也確定 10 月 9 日會在台灣開賣,但 iPhone 6s 以及 iPhone 6s Plus 沒有想像中簡單。

魔鬼或許真的藏在細節裡面,iPhone 6s 以及 iPhone 6s Plus 在硬體規格確實獲得很大的提升,但絕對沒有秋季發表會提到的 Apple A9、12MP 主鏡頭、4K 錄影以及 3D Touch 功能那般簡單;好比說,這次 iPhone 6s 以及 iPhone 6s Plus 記憶體提升至 2GB LPDDR4,Apple 就不在發表會上公佈。

除此以外,iPhone 6s 以及 iPhone 6s Plus 在儲存方面也有著相當大的提升。

一般智慧型手機採用的 eMMC 規範,今年初 Samsung GALAXY S6 系列開始導入全新的 UFS 2.0 規範之後,讓智慧型手機讀寫表現獲得相當顯著的提升。然而,現在 iPhone 6s 以及 iPhone 6s Plus 所使用的 NVMe,則是讓 iPhone 追上 PC 的腳步。

Anandtech 透過特殊方法,了解到 iPhone 6s 所使用的產品是型號為 AP01228K 的 Apple SSD。有趣的是,早前 MacBook 所使用的 SSD 控制器型號為 AP0256H。

採用 SDIO 規範當然是不可能,因為那就是 eMMC,但採用 PCIe 或許有機會,可是問題又會在電力供應部份。或許,它是基於 MIPI M-PHY 的 PCIe,而非 PC 般的 PCIe。相較之下,UFS 2.0 同樣是 MIPI M-PHY,但它的 Protocol 為 SCSI。

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簡單來說,在 iPhone 6s 電路板上見到的儲存顆粒已經整合了控制器以及 NAND Flash。

同時,Anandtech 也讀出內部資訊,顯示 NAND 為 1Y128G-TLC-2P,這裏大概意思是 1Ynm 製程的 128GB TLC NAND Flash。目前,iFixit 拆解的 iPhone 6s 與 iPhone 6s Plus 分別是 Toshiba 和 SK Hynix 供應,Anandtech 手中的 64GB 版本來自 SK Hynix。

Anandtech 當然公佈了 iPhone 6s Plus 的儲存測試數據。在 256KB 連續讀寫表現下,iPhone 6s Plus 幾乎沒有任何對手,相較於 iPhone 6 或是 iPhone 6 Plus 來說,讀寫速度成長幾乎接近一倍。

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不過,在 4K 隨機讀寫表現仍較 UFS 2.0 的 Samsung GALAXY S6 系列裝置差。

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iPhone 6s 不單單只是單純處理器升級這般簡單,很多細節必須透過不同方式來獲得準確的資訊,然而目前懸而未決的應該是 14nm FinFET 以及 16nm FinFET 的 Apple A9 SoC 要如何區分。

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