Hot Chip 活動中,應該可以見到不少關於 GDDR5、DDR5 以及 HBM3 的消息。

目前主流記憶體規格為 DDR4、GDDR5X、GDDR5 以及 LPDDR4,還有 HBM2,但科技的腳步一直往前走,所以我們將會在未來數年內見到 DDR5、GDDR6、LODDR5 以及 HBM3 出現。

我們最快會在 2017 年見到 GDDR6、LPDDR5 以及 DDR5 記憶體規格。

ddr5

從既有的規劃來看,GDDR6、LPDDR5 以及 DDR5 記憶體規格會提供更佳的效能表現,當然在功耗部分也較過去要低不少。全新的 GDDR6 可以到 14Gbps,要比 GDDR5 的 10Gbps 和 GDDR5X 的 12Gbps 高出一些。至於 LPDDR5 正式登場前,中間會有 LPDDR4X 加入戰局,目前韓系的 SK Hynix 與 Samsung Electronics 有相關產品規劃。

如果拿最高 3733Mbps 的 LPDDR4 比較,LPDDR4 速度達 4266Mbps 可說高出不少,而且最重要部分在於 LPDDR4X 的 VDD 電壓不會比 LPDDR4 要高。

LPDDR4

LPDDR4X

從資料可以看出,相較於 LPDDR4 記憶體,全新的 LPDDR4X 可以降低 2 成功耗,對於使用這類型記憶體的智慧型手機而言,功耗可以降低當然是一件好事。

目前只有 MWC 2016 宣布的 MediaTek Helio P20 支援 LPDDR4X 記憶體,只是這顆 SoC 搭配 LPDDR4X 有點突兀,而且 MediaTek Helio P20 至今仍未正式推出,預計可能要到 2017 年初才會有相關裝置亮相。

至於 HBM 3 最快也要等到 2019 或是 2020 年才會推出,目前 Samsung Electronics 已經在 IDF 2016 的舊金山場釋出一些資訊。

DDR5 部分最小容量會是 8GB,單挑最大容量可以達到 32GB,頻寬方面最大則是 6.4Gbps,整體有所提升,但電壓仍舊維持在 1.1V。

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