植基於 BiCS8 技術開發，Kioxia 推出 2Tb 容量 QLC 快閃記憶體

強調容量密度、介面速度、性能皆有所提升，得以滿足 AI 包含在內的各式應用需求。

Kioxia 快閃記憶體再次達成新里程碑，基於第 8 代 BiCS Flash 3D 技術開發設計，裸晶容量高達 2Tb（256GB） 的 QLC 製品，已經開始出貨提供樣品給予協力夥伴。

Kioxia 指出，這款 2Tb QLC 本身為 218 層堆疊設計，結合 CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術的應用，改善了容量密度與傳輸速度，其介面速度可達 3,600MT/s 之譜。與當前第 5 代產品相較，新品的容量密度提高約 2.3 倍，寫入性能也提升改善 70％ 左右。

再加上堆疊封裝技術的應用，可使 16 個 2Tb QLC 裸晶構成顆粒成品，尺寸僅約 11.5 x 13.5mm、厚 1.5mm，而單顆顆粒的容量即能夠達到 4TB。以 M.2 固態硬碟應用為例，電路板僅需單面配置 2 顆這款快閃記憶體，便能夠組合成 8TB 儲存容量，反之雙面布局要達成 16TB 也很容易。

Kioxia 補充道，BiCS8 2Tb QLC 屬於容量最大化導向產品，他們同時也另外規劃 1Tb QLC 新品，強調性能經過最佳化，相較之下循序寫入效能高出約 30％，而讀取延遲能夠降低 15％ 左右。