快閃記憶體合約價格持續低迷，促使晶圓廠從技術力面向著手確保獲利。
快閃記憶體合約價格走跌一年有餘，這對晶圓廠營收造成不小的影響，彼此技術力競爭會轉趨激烈，下一戰 120 / 128 層 3D NAND 在正醞釀中。根據 DigiTimes 報導指出，儘管晶圓廠自 2018 年底起普遍減產因應，卻難抵技術相對成熟的 64 層 3D NAND 製品，市場供過於求與庫存量等因素，對整體市場合約價格所造成影響。
在相近時間點，各大廠紛紛開始擴大 90 / 96 層 3D NAND 產能，想藉此確保成本與價格競爭力，然而直到現在的收益還不夠穩定。面對營收、獲利等諸多壓力，這驅使晶圓廠加緊 120 / 128 層 3D NAND 技術開發，現階段已經有廠商開始提供樣品給予主要廠商，並以 2020 年上半年進行批量生產作為目標。
由先前的訊息來看，我們猜想可能會是由 Toshiba、WD 聯手搶頭香，他們在 Flash Memory Summit 2019 活動透露 BiCS-5 世代製品訊息，早先規劃是將在 2020～2021 年間正式投產。
