Ballistix Elite DDR4-3600 強調採用自家 E-Die 顆粒，超頻可玩性不容小覷。
Crucial（Micron）近期廣發訊息，指出自家超頻記憶體模組 Ballistix Elite DDR4-3600，經由 Stavros Savvopoulos 與 Phil Strecker 之手，超頻至 DDR4-5726 刷新世界紀錄。Crucial（Micron）台灣打鐵趁熱，臨時向代理經銷借調零售版商品，讓我們也有機會淺試 Ballistix Elite（Micron E-Die），這個打破 Samsung 知名 B-Die 紀錄的模組。
Ballistix Elite 系列是 Ballistix 品牌的當家旗艦，單支模組容量 4GB 或 8GB，計有 DDR4-3600 / 3200 / 3000 / 2666 等時脈選擇，銷售形式分為單支模組、雙通道、四通道。不過從新版型錄來看，最近主推 DDR4-3600 時脈，8GB、16GB（8GB x 2）、32GB（8GB x 4）銷售組合。我們所取得樣品 Ballistix Elite 32GB (4 x 8GB) DDR4-3600 UDIMM，官方料號是 BLE4K8G4D36BEEAK，屬於 DDR4-3600 時脈的四通道（8GB x 4）版本，美國官網參考售價是 407.99 美元。
Ballistix Elite 散熱片以消光黑處理，不像 Ballistix Sport LT 系列提供多色風格塗裝選擇，而且組成結構也比較繁複一些。基礎散熱片和顆粒表面貼合，突出一截的頂部還利用螺絲來加強穩固，所以拿在手上可以感受到更有份量。Ballistix Elite 系列是針對 Intel 平台最佳化設計，支援 XMP 2.0 版超頻技術功能，同時也標示和 AMD 的 Ryzen 平台相容。其餘特點如內建溫度感測器，可以搭配 Ballistix M.O.D. 工具軟體，查看 SPD 與溫度等資訊。
端詳 Ballistix Elite DDR4-3600 一番，可看出只有單面焊接記憶體顆粒，工具軟體偵測顯示為 1 / Single Rank 類型，我們想單支 4GB 容量模組應該也是這樣規畫配置。偵測資訊連帶透露，其顆粒屬於原生 DDR4-2666 規格，基於 JEDEC 規範的最佳時序設定為 CL 19、RCD 19、RP 19、RAS 43。而 XMP DDR4-3600 時脈組態，最佳時序是 CL 16、RCD 18、RP 18、RAS 38，以典型超頻電壓 1.35V 驅動之。
測試平台
- 處理器：Intel Core i9-9900K
- 主機板：ASUS ROG Maximus XI Gene
- 顯示卡：MSI GeForce GTX 1050 2G OC
- 系統碟：Plextor M8Se 512GB
- 作業系統：Microsoft Windows 10 Pro 64bit
以 AIDA64 Cache & Memory Benchmark 簡單一試超頻效益，基本的 JEDEC DDR4-2666 時脈組態測得頻寬是讀取 38891MB/s、寫入 39318MB/s，套用 XMP DDR4-3600 之後為讀取 51032MB/s、寫入 52054MB/s，頻寬增益在 31～32％ 上下。
另外以懶人超頻方法，於 BIOS 內關閉 XMP 功能、手動選時脈、設定電壓 1.35V，並讓主機板自行偵測設置時序，輔以 MemTest64 小試可行性與穩定度。最終得到 DDR4-4200 時脈 CL 19、RCD 19、RP 19、RAS 43 時序組合，測得讀取 56799MB/s、寫入 60016MB/s 頻寬，較 XMP DDR4-3600 時脈組態提升約 11～15％。依各自使用的配備而定，購買 Ballistix Elite DDR4-3600 之後如果想向上挑戰，斟酌放寬時序應該是能讓時脈再往上拉高，只不過得花費些時間來試驗穩定度。
實際檢索代理商官網，撰稿期間尚未看到任一 Ballistix Elite DDR4-3600 時脈產品的資訊，儘管建議售價暫時無從得知，但貨品應該是已經陸續抵達台灣。如果有興趣試試 Micron 這 E-Die 製品，看它和 Samsung 廣受好評的 B-Die 相較之下可玩性如何，不妨再稍待片刻。
