16Gb 投入應用轉眼間也一年了，市場滲透率還有待三大廠拉抬。
SK hynix 發布了 DDR4 隨機動態存取記憶體（DRAM）產品線新動向，指出已經完成開發 1z nm 製程的 16Gb 容量顆粒，預定將於明年開始量產、供貨。SK hynix 強調，新製品生產率提高了 27％ ，也由於並未動用昂貴的極紫外線（EUV）光罩技術，因此製造成本是具有競爭優勢。
相較於當前的 1y nm 製程 8Gb 製品，1z nm / 16Gb 新品最高提供 3200Mbps 速率選項（即 JEDEC DDR4-3200），建構成相同容量模組具有較高電力效率，功耗可以大幅度降低 40％。展望未來，SK hynix 也計畫會將 1z nm 製程技術導入至其他產品線上應用，如 LPDDR5、HBM3 等。
16Gb 裸晶封裝成顆粒即為單顆 2GB 容量，電路板雙面滿上 16GB 顆，就能構成 32GB 容量模組。同去年底，Samsung 率先發布的 16Gb 產品，而另一要角 Micron 是在今年夏天發布，並且和 SK hynix 一樣是 1z nm 世代產物。
