16Gb 投入應用轉眼間也一年了,市場滲透率還有待三大廠拉抬。

SK hynix 發布了 DDR4 隨機動態存取記憶體(DRAM)產品線新動向,指出已經完成開發 1z nm 製程的 16Gb 容量顆粒,預定將於明年開始量產、供貨。SK hynix 強調,新製品生產率提高了 27% ,也由於並未動用昂貴的極紫外線(EUV)光罩技術,因此製造成本是具有競爭優勢。

相較於當前的 1y nm 製程 8Gb 製品,1z nm / 16Gb 新品最高提供 3200Mbps 速率選項(即 JEDEC DDR4-3200),建構成相同容量模組具有較高電力效率,功耗可以大幅度降低 40。展望未來,SK hynix 也計畫會將 1z nm 製程技術導入至其他產品線上應用,如 LPDDR5、HBM3 等。

16Gb 裸晶封裝成顆粒即為單顆 2GB 容量,電路板雙面滿上 16GB 顆,就能構成 32GB 容量模組。同去年底,Samsung 率先發布的 16Gb 產品,而另一要角 Micron 是在今年夏天發布,並且和 SK hynix 一樣是 1z nm 世代產物。

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