相距 2 年左右的時間,3D NAND Flash 技術從 176 層提升至 232 層。

圖引用自 Tom’s Hardware。

在 2020 年,Micron 的 3D NAND Flash 技術發展到 176 層,現在宣布已經完成 232 層 3D NAND Flash 開發設計,預計今年底(2022)可以進行量產。

Micron 新開發的 232 層 3D NAND Flash,屬於 TLC 類型而且裸晶圓容量達 1Tb(128GB),不過目前尚未公布更多規格資訊。官方強調,他們藉由導入 CuA 架構設計,在既有堆疊技術上建立出 2 個 3D NAND 陣列,使容量密度增加、晶圓尺寸縮小、耗電量降低,通常也能連帶提高利潤。

圖引用自 Tom’s Hardware。

Micron 預計今年年底開始量產 232 層 3D NAND Flash 產品,而且除了自家固態硬碟設計開發團隊,也與固態硬碟控制器廠商緊密合作,以確保新產品能夠相容、發揮出應有性能。Micron 同時預估,採用 232 層 3D NAND Flash 的固態硬碟產品,在 2023 年會開始陸續到貨、上市開賣。

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