相距 2 年左右的時間，3D NAND Flash 技術從 176 層提升至 232 層。
在 2020 年，Micron 的 3D NAND Flash 技術發展到 176 層，現在宣布已經完成 232 層 3D NAND Flash 開發設計，預計今年底（2022）可以進行量產。
Micron 新開發的 232 層 3D NAND Flash，屬於 TLC 類型而且裸晶圓容量達 1Tb（128GB），不過目前尚未公布更多規格資訊。官方強調，他們藉由導入 CuA 架構設計，在既有堆疊技術上建立出 2 個 3D NAND 陣列，使容量密度增加、晶圓尺寸縮小、耗電量降低，通常也能連帶提高利潤。
Micron 預計今年年底開始量產 232 層 3D NAND Flash 產品，而且除了自家固態硬碟設計開發團隊，也與固態硬碟控制器廠商緊密合作，以確保新產品能夠相容、發揮出應有性能。Micron 同時預估，採用 232 層 3D NAND Flash 的固態硬碟產品，在 2023 年會開始陸續到貨、上市開賣。