2017 年以 HBM2 為主，那麼旗艦顯示卡在 2018 年會如何呢？
HBM2 記憶體顆粒都能在 NVIDIA 與 AMD 的 2017 年旗艦產品上見到，相較於過去的 HBM 記憶體，這一次的 HBM2 帶來更大的記憶體容量以及頻寬，但它因產能、封裝以及價格等問題，仍舊無法成為市場的主流。
放眼 2018 年，不論是 NVIDIA 或者是 AMD，都可能在旗艦產品上導入全新的 GDDR6 記憶體。
Micron 稍早在公司的官方部落格上揭露他們已經完成 12Gbps 以及 14Gbps GDDR6 記憶體顆粒的設計以及內部認證；至於量產時間點，目前預計會在 2018 上半年，而 GDDR6 顆粒其實已經送出給合作夥伴進行測試與驗證使用。
GDDR6 記憶體顆粒目前會有 8Gb 以及 16Gb，而 JEDEC 規範可以到 32Gb，另外 12Gbps 和 16Gbps 外，Jedec 規範最高是到 16Gbps，也就意味著 Micron 下一階段的目標會放在更大容量以及更高速的產品上。相較於 GDDR5X 的 1 Channel，GDDR6 為 2 Channels，同時封裝部分也與 GDDR5X 的 FBGA190 有差，14 x 12mm 的 GDDR6 為 FBGA180 封裝。
目前 GDDR5X 與 GDDR6 的 VDD、VDDQ 以及 VPP 部分沒有不同，分別是 1.35V、1.35V 和 1.8V。
就時間點來看，NVIDIA 很有可能會較 AMD 更早公布使用 GDDR6 記憶體顆粒的產品。同時，SK Hynix 與 Samsung 在 GDDR6 的動作也相當讓人好奇，因為 2 家韓系品牌在 2017 年較專注在 HBM2 記憶體上，對於 GDDR5X 記憶體的動作幾乎趨近於零。
