確定四核心處理器之外，在 3G/LTE Summit 上，Qualcomm 有一系列的資訊公佈。
Quick Charge 2.0 技術已經慢慢被智慧型手機採用，同時許多用戶都可以開始感受到這技術所帶來的改變。
在 3G/LTE Summit 中，Qualcomm 宣佈推出新一代的快充技術 – Quick Charge 3.0。
新一代的 Quick Charge 3.0 導入了稱為「最佳電壓智慧協商」演算法（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）。INOV 是 Qualcomm 自行開發的全新演算法，可以幫助行動裝置擁有選擇所需功耗的能力，這主要可以允許裝置在任何時間獲得最佳功耗傳輸表現，以及維持最大充電效率表現。
Quick Charge 3.0 可以允許裝置在 35 分鐘內，將電力從 0 充至 80%。一般來說，不具備 Quick Charge 技術的裝置需要一個小時半左右。
與 Quick Charge 2.0 相比，Quick Charge 3.0 可以提高快充速度達 27%，或是減少功率損耗最高大 45%。
Quick Charge 2.0 提供 5V、9V、12V 以及 20V 四種選項；Quick Charge 3.0 則是從 3.6V 至 20V，並以每一位階 200mV 提升。
目前 Quick Charge 3.0 將會在 Snapdragon 820、620、618、617 與 430 SoC 上見到，不過是否會導入，則需要視品牌的產品規劃而定。
