雖然 Samsung 宣佈量產 2 代 10nm 級別 DDR4 顆粒,但價格暫時不會滑落。

Samsung Electronics 在 12 月 20 日宣布量產 2 代 10nm(1y-nm)級別的 8Gb DDR4 記憶體顆粒,而全新的 2 代產品較初代可以提升 30% 的產能外,同時全新的 8Gb DDR4 記憶體顆粒也可在效能表現以及功耗方面都可以獲得 10 – 15% 的提升或改善。

另一方面,採用 1y-nm 支撐的 8Gb DDR4 顆粒可以在 3600MHz 下運行,而 1x-nm 的 8Gb DDR4 則是 3200MHz。(1xnm = 17-19nm;1ynm = 15nm;1znm = 11-14nm)

目前 Samsung 仍未在 1y-nm 導入極紫外光微影設備(EUV),這次基本上是使用「high-sensitivity cell data sensing system」(高靈敏度細胞資料感應系統)與「air spacer」的方案。

除了 1y-nm DDR4 記憶體顆粒外,Samsung 也在 DDR5、HBM3、LPDDR5 以及 GDDR6 上加快步伐,這些產品基本上可以讓公司在企業級 Server、行動通訊、超級電腦以及旗艦顯示卡等領域上提供對應的解決方案。

Samsung Electronics 的 2 代 10nm 級別 DDR4 模組已經完成與 CPU 製造商的驗證。

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