智慧型手機或是平板電腦的儲存容量有望再往上提升至 512GB。
Samsung 宣佈量產 512GB 的 UFS，而它是基於 64 層 512Gb V-NAND 組成。就新聞稿中提到，這款大容量的 UFS 適用於智慧型手機、平板電腦、電視以及 VR 頭戴式裝置等裝置上。
512GB 的 UFS 在讀取部分可以達 800MB/s，相較之下，255MB/s 的寫入對 PC 用 SSD 來說，似乎沒什麼好驚艷的。基本上，這樣的讀寫速度表現與 Samsung 在 2016 年宣佈量產的 256GB UFS 並沒有太大的差異；而在隨機讀寫部分，Samsung 512GB UFS 表現分別是 42,000 IOPS 讀取與 40,000 IOPS 寫入。
此外，封裝大小為 11.5 x 13mm 的 Samsung 512GB UFS 使用全雙工的 HS-Gear3 通道，每條通道可以提供 5.8GT/s 的資料傳輸率。
進入量產階段意味著 Samsung 高階智慧型手機將有望導入，至於是否會應用在 2018 年的 Samsung Galaxy S9，想必很快就會有答案。除了宣佈量產 512GB UFS 外，Samsung 也將計畫增加 64 層 512Gb V-NAND 以及 256Gb V-NAND 的產品用已滿足產品需求。
另一方面，Toshiba 也開始針對旗下 UFS 2.1 產品送樣給合作夥伴進行測試，這系列產品採用 64 層 BICS 3D TLC NAND Flash，並提供 32GB、64GB、128GB 以及最大 256GB 選項。
封裝大小為 11.5 x 13mm，同樣採用全雙工的 HS-Gear3 通道，其中 64GB 以上款式的讀取速度可以達 900MB/s，而寫入部分則是 180MB/s。