過去單條 DDR4 記憶體容量最大為 64GB，不過今天這個紀錄再次被打破。
Samsung Electronics 在 26 日發佈新聞稿，宣佈開始量產單條 128GB 容量的 DDR4 DRIMM 記憶體，不過這款產品主要鎖定 Server 以及 Data Centers 市場。
128GB 記憶體擁有 36 顆 4GB 容量的 “大” 顆粒，分佈在左右兩側。
根據新聞稿中提到，這 36 顆 “大” 顆粒是由 144 顆 20nm 製程的 8Gb（1GB）記憶體顆粒所組成；簡單來說每顆 “大” 顆粒內擁有 4 顆小顆粒，而 Samsung Electronics 使用的是 TSV 封裝技術。
Samsung Electronics 的 128GB DDR4 RDIMM 時脈目前為 2,400MHz，未來會逐步提升到 2,667MHz 或是更高的 3,200MHz。
除了應用在 RDIMM 上，Samsung Electronics 預期會將 TSV 封裝技術導入 HBM 中；目前 Samsung Electronics 是與 NVIDIA 在 HBM 上進行合作，至於 AMD 則是和 SK Hynix。