過去單條 DDR4 記憶體容量最大為 64GB,不過今天這個紀錄再次被打破。

Samsung Electronics 在 26 日發佈新聞稿,宣佈開始量產單條 128GB 容量的 DDR4 DRIMM 記憶體,不過這款產品主要鎖定 Server 以及 Data Centers 市場。

128GB 記憶體擁有 36 顆 4GB 容量的 “大” 顆粒,分佈在左右兩側。

0_128GB_TSV_RDIMM_re-0

根據新聞稿中提到,這 36 顆 “大” 顆粒是由 144 顆 20nm 製程的 8Gb(1GB)記憶體顆粒所組成;簡單來說每顆 “大” 顆粒內擁有 4 顆小顆粒,而 Samsung Electronics 使用的是 TSV 封裝技術。

Samsung Electronics 的 128GB DDR4 RDIMM 時脈目前為 2,400MHz,未來會逐步提升到 2,667MHz 或是更高的 3,200MHz。

除了應用在 RDIMM 上,Samsung Electronics 預期會將 TSV 封裝技術導入 HBM 中;目前 Samsung Electronics 是與 NVIDIA 在 HBM 上進行合作,至於 AMD 則是和 SK Hynix。

Comments are closed.