V-NAND 層數越疊越高，這當然是為了更大的容量。
Samsung 在美國時間 6 號端出第 6 代 V-NAND，除了更大的容量外，同時也將密度往上提升；相較於第 5 代 V-NAND，全新的第 6 代 V-NAND 有望在功耗部分降低 15%，同時在延遲部分降低 10%。
全新的第 6 代 V-NAND 採用 136 層電荷儲存式快閃記憶體（Charge trap flash：CTF）元件，這主要是因為無法如過去般採堆疊方式進行建構。同時，Samsung 為了確保最小的錯誤以及讓延遲降低，在電路設計部分需要採用全新的優化方式，而這也 256Gb 的 3D TLC 寫入延遲低於 450μs，並且在讀取時的延遲低於 45μs.
另一方面，136 層的 256Gb 使用 6.7 億孔，遠低於第 5 代 V-NAND 的 9.3 億，這也意味著第 6 代 V-NAND 生產流程更少，以及更容易生產。更重要的是，Samsung 計畫將 136 層的生產技術（含速度優化線路, speed-optimized circuit design）用以生產超過 300 層的 V-NAND。
目前 Samsung 接下來推出的 250GB SSD 將會導入 256Gb 的 136 層 3D TLC NAND，而今年稍晚則計畫推出 512Gb 版本的 136 層 V-NAND。