V-NAND 層數越疊越高,這當然是為了更大的容量。

Samsung 在美國時間 6 號端出第 6 代 V-NAND,除了更大的容量外,同時也將密度往上提升;相較於第 5 代 V-NAND,全新的第 6 代 V-NAND 有望在功耗部分降低 15%,同時在延遲部分降低 10%。

全新的第 6 代 V-NAND 採用 136 層電荷儲存式快閃記憶體(Charge trap flash:CTF)元件,這主要是因為無法如過去般採堆疊方式進行建構。同時,Samsung 為了確保最小的錯誤以及讓延遲降低,在電路設計部分需要採用全新的優化方式,而這也 256Gb 的 3D TLC 寫入延遲低於 450μs,並且在讀取時的延遲低於 45μs.

另一方面,136 層的 256Gb 使用 6.7 億孔,遠低於第 5 代 V-NAND 的 9.3 億,這也意味著第 6 代 V-NAND 生產流程更少,以及更容易生產。更重要的是,Samsung 計畫將 136 層的生產技術(含速度優化線路, speed-optimized circuit design)用以生產超過 300 層的 V-NAND。

目前 Samsung 接下來推出的 250GB SSD 將會導入 256Gb 的 136 層 3D TLC NAND,而今年稍晚則計畫推出 512Gb 版本的 136 層 V-NAND。

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