第 2 代 16GB LPDDR5 記憶體之外,Samsung Electronics 也跟著宣布業界第一款 eUFS 3.1 儲存產品;預計使用下一代旗艦裝置的 eUFS(embedded Universal Flash Storage)預計在本月開始於中國西安進行第 5 代 V-NAND 的量產,但後續計畫可能因需求提升將第 5 代 V-NAND 更替至第 6 代 並轉回韓國平澤市生產。

相較於目前的 eUFS 3.0 標準,全新的 eUFS 3.1 在寫入速度有著非常顯著的提升。

當然與 PCIe NVMe 3.0 標註不同,可是全新的 Samsung 512GB eUFS 3.1 容量的循序寫入速度可以達到 1,200MB/s;相較於 Samsung 512GB eUFS 3.0 的 400MB/s,其速度成長了 3 倍之多。

除了循序寫入有顯著提升外,Samsung 512GB eUFS 3.1 的 100,000 / 70,000 IOPS 的隨機讀寫表現也要比目前的產品快了 60%。

Samsung eUFS 3.1 除了現階段的 512GB 容量外,未來也會提供 256GB 以及 128GB 的選項。

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