新一代 Android 旗艦手機可以確定會有 8GB LPDDR4X 記憶體配置。

SK Hynix 在 1 月 9 日宣布雙通道 16Gb 晶片組成,全球最大密度的 8GB LPDDR4X 記憶體將進入量產;如果相較於 LPDDR4,高密度的 8GB LPDDR4X 擁有多達 20% 的動率效能。

LPDDR4X 電壓規範在 0.6V,而 LPDDR4 則是 1.1V。

這次公佈的 SK Hynix 8GB LPDDR4 記憶體每秒可以到 34.1GB,並且使用 64 bit I/O。

此外,這次封裝面積也較 8GB LPDDR4 小了 30%,實際為 12 x 12.7mm。

Samsung 已經在 2016 年 10 月公佈 8GB LPDDR4 記憶體,SK Hynix 部分則有 8GB LPDDR4 與 8GB LPDDR4X 兩款產品。至於可以搭配 LPDDR4X 記憶體的 SoC 有 10nm FinFET 製程的 Qualcomm Snapdragon 835 與 16nm FinFET 製程的 MediaTek Helio P20 兩款產品。

可以預見,2017 上半年可以見到 8GB LPDDR4 或者是 8GB LPDDR4X 記憶體配置的 Android 裝置發表。

就目前的腳步來看,Samsung GALAXY S8 與 LG G6 都有機會在第一波使用 8GB 記憶體裝置的清單中。

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