預計公佈 2016 財報的 SK Hynix 在近日於官方部落格釋出 2017 年規劃。
SK Hynix 從 2015 年底開始使用 21nm 製程生產 DRAM，而目前這個製程已經在主流產品、行動裝置用產品以及特規的 DRAM 上導入。
不過，這家韓系品牌將會在 2017 年量產 10nm class 製程的 DRAM。
一般相信，SK Hynix 的 10nm class 泛指 18nm 製程。
目前記憶體價格持續攀升，對於記憶體顆粒廠來說，是一件相當好的事情。 面對這樣的情況，SK Hynix 並沒有增產計畫，並對 2017 年記憶體相關支出採取保守的態度。其他品牌或許也如此，這也意味著在 2017 年的記憶體價格將持續攀高，然而這產業就如同期貨般，沒人說得準。
NAND Flash 也是另一個需求持續提升的產品。
SK Hynix 目前已經生產 48 層的 3D NAND Flash（3D-V3），而進入 2017 年，我們可以見到 SK Hynix 進入 72 層的 3D TLC NAND Flash（3D-V4）。同時，也可以確認 SK Hynix 將會在 2017 第二季度量產 256Gb 的 3D TLC NAND Flash。
另外，SK Hynix 也計畫在 2017 年底推進至 512Gb（64GB）的 3D TLC NAND Flash。
相較於記憶體的保守，SK Hynix 在 NAND Flash 則是投入不少資源。
SK Hynix 在 M14 廠房的第二層將開始量產 NAND Flash，但什麼產品會在這裡進行，官方並沒有給予明確答案。不過， 一切順利的話，SK Hynix 整體產能將會伴隨著 M14 廠商而獲得顯著改善。此外，SK Hynix 預計耗資 7.9 億美元以及 2 年時間來擴充無錫 C2 廠房的無塵室（無錫 C2 產房主要生產 DRAM）。雖然這有助於提升 SK Hynix 記憶體顆粒產能，但整體工程需要到 2019 年才會完成，因此… 可別期待價格會有任何降幅。