Samsung 總是走在前頭,SK hynix 與 Micron 在後追趕。

在 DDR4 仍為市場主流前提下,各動態隨機存取記憶體廠不斷提升半導體製程,以期帶來更高的獲利。SK hynix 甫宣布,第二代 10nm 製程 DDR4 DRAM 完成開發,與先前技術相較可降低 15% 耗電量。此外,生產率也獲得提高 20% 的效益,同時更能讓時脈再往上推升。

植基於第二代 10nm 製程技術,當前所完成開發的 8Gbit 容量產品,最高時脈組態可達 DDR4-3200(3200Mbps),這達到了 JEDEC 所制定 DDR4 DRAM 規範最高時脈規格。新產品適用於桌上型電腦、行動平台、伺服器等設備,預定在 2019 年第一季開始量產,並將依市場需求調整產能占比。

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