21nm 製程，SK Hynix 8GB LPDDR4 記憶體出貨

在 Samsung Electronics 之後，SK Hynix 也增加 8GB LPDDR4 產品。

Samsung Electronics 是在 10 月 21 日公佈智慧型手機用的 8GB LPDDR4 記憶體，而 SK Hynix 則是在 12 月 21 日，足足晚了 2 個月。

目前 8GB（64Gb）的 LPDDR4 記憶體將由 4 顆 16Gb 記憶體在同一封裝內組成。

8GB 的 SK Hynix LPDDR4 記憶體將會有 366 ball 與 376 ball 兩種規格。其中 366 ball 可以與 SOC 或是 UFS 疊在一起，目前已經開始出貨，至於 376 ball 將會在 2017 年第一季開始供應。

SK Hynix 的 16Gb 記憶體使用的是 21nm 製程，而稍早 Samsung Electronics 部分則是 10nm 級別製程。

相較於 SK Hynix 的 3733MT/s 傳輸速率，Samsung Electronics 可以達到 4266MT/s。