在 3D NAND 堆疊技術發展競賽,SK hynix 與 Toshiba 近來動作相當積極。

SK hynix 正卯足全力衝刺 4D NAND(本質同 3D NAND),剛宣布已經完成 128 層堆疊製品開發作業,屬於 TLC 架構類型、1Tb 容量密度,同時間也排定開始進行量產。這項製品結合多項創新技術設計,官方宣稱與自家先前的 96 層 4D NAND 相比,晶圓生產率可提升 40%、過渡投資成本降低 60%

當前這款 128 層 TLC 4D NAND,內部具有超過 3600 億個單元,以 1.2V 電壓驅動可達到 1,400Mbps 資料傳輸速率,高性能與低功耗等特性兼具。因此適合行動平台與企業級固態硬碟,以及記憶卡等高容量需求產品導入採用,SK hynix 表示在下半年正式出貨銷售之後,也會持續推出各種解決方案。

Comments are closed.