128 層 3D NAND 確定是未來式，或許會在一兩年後大舉產出。
嚴格來說，這是一個尚未經官方證實的正式訊息，畢竟 Toshiba、WD 雙方還沒有廣發新聞稿，大肆宣傳自己所達成的里程碑。只不過 3D NAND 朝向 128 層堆疊發展，早在 Flash Memory Summit 2019 活動上，包含 SK Hynix 甚至是長江儲存等廠商，就已經公開了相關開發計畫。
總而言之，有消息指出 Toshiba 與其策略夥伴 WD，已經開發出 128 層 3D NAND，預定在 2020～2021 年之間正式投產。Toshiba 將這產品命名為 BiCS-5，出人預料的是屬於 TLC 類型產品而非 QLC，單一裸晶容量為 512Gbit（64GB）。與自家稱為 BiCS-4 的 96 層 3D NAND 相較下，BiCS-5 理論容量密度提升約 33％，而且成本得以再往下壓不等幅度。
真正會吸引到玩家注意的部分，是外界推估 BiCS-5 內有 4 個 Plane（姑且稱為儲存矩陣），和既有 2 個 Plane 製品相較下，寫入速度可以由 66MB/s 倍增至 132MB/s。意味組建成固態硬碟成品時，理應當能使 TLC 那不勘的真實寫入速度表現（SLC Cache 機制飽和之後的速度），變得比較能夠接受些。