128 層 3D NAND 確定是未來式,或許會在一兩年後大舉產出。

嚴格來說,這是一個尚未經官方證實的正式訊息,畢竟 Toshiba、WD 雙方還沒有廣發新聞稿,大肆宣傳自己所達成的里程碑。只不過 3D NAND 朝向 128 層堆疊發展,早在 Flash Memory Summit 2019 活動上,包含 SK Hynix 甚至是長江儲存等廠商,就已經公開了相關開發計畫。

總而言之,有消息指出 Toshiba 與其策略夥伴 WD,已經開發出 128 層 3D NAND,預定在 2020~2021 年之間正式投產。Toshiba 將這產品命名為 BiCS-5,出人預料的是屬於 TLC 類型產品而非 QLC,單一裸晶容量為 512Gbit(64GB)。與自家稱為 BiCS-4 的 96 層 3D NAND 相較下,BiCS-5 理論容量密度提升約 33%,而且成本得以再往下壓不等幅度。

真正會吸引到玩家注意的部分,是外界推估 BiCS-5 內有 4 個 Plane(姑且稱為儲存矩陣),和既有 2 個 Plane 製品相較下,寫入速度可以由 66MB/s 倍增至 132MB/s。意味組建成固態硬碟成品時,理應當能使 TLC 那不勘的真實寫入速度表現(SLC Cache 機制飽和之後的速度),變得比較能夠接受些。

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