在 SK Hynix 之後，Samsung Electronics 的 HBM2E 也出現了。
Samsung Electronics 稍早發表第 3 代 High Bandwidth Memory 2E（HBM2E），雖然對手 SK Hynix 已經在 2019 年 8 月發表，但相關產品要等到 2020 年才會正式進入量產階段。
稱為 Flashbot 的 Samsung Electronics HBM2E 提供 16GB 容量，主要針對高效能運算以及超級電腦市場而推出。
相較於 8GB HBM2 的 Aquabolt，全新的 Flashbot 不單單增加效能，同時也在功耗部分有所優化；目前，16GB 容量的 HBM2E 顆粒是由 8 層 10nm 級別（1y 製程）的 16Gb DRAM 堆疊而成。Samsung Electronics 的 Flashbot 最高傳輸速率可以達到 3.2Gbps（OC 的話可以達到 4.2Gbps）以及 410GB/s（OC 可達 538GB/s）的記憶體頻寬。
8GB HBM2 Aquabolt 最高轉速速率為 2.4Gbps，而記憶體頻寬部分為 307GB/s；若沒有太大意外的話，16GB HBM2E 所使用的電壓與 8GB HBM2 同為 1.2V。
Samsung Electronics 預計會在 2020 上半年開始量產 HBM2E，而 HBM2 的 Aquabolt 仍將會持續供貨。
