在 SK Hynix 之後,Samsung Electronics 的 HBM2E 也出現了。

Samsung Electronics 稍早發表第 3 代 High Bandwidth Memory 2E(HBM2E),雖然對手 SK Hynix 已經在 2019 年 8 月發表,但相關產品要等到 2020 年才會正式進入量產階段。

稱為 Flashbot 的 Samsung Electronics HBM2E 提供 16GB 容量,主要針對高效能運算以及超級電腦市場而推出。

相較於 8GB HBM2 的 Aquabolt,全新的 Flashbot 不單單增加效能,同時也在功耗部分有所優化;目前,16GB 容量的 HBM2E 顆粒是由 8 層 10nm 級別(1y 製程)的 16Gb DRAM 堆疊而成。Samsung Electronics 的 Flashbot 最高傳輸速率可以達到 3.2Gbps(OC 的話可以達到 4.2Gbps)以及 410GB/s(OC 可達 538GB/s)的記憶體頻寬。

8GB HBM2 Aquabolt 最高轉速速率為 2.4Gbps,而記憶體頻寬部分為 307GB/s;若沒有太大意外的話,16GB HBM2E 所使用的電壓與 8GB HBM2 同為 1.2V。

Samsung Electronics 預計會在 2020 上半年開始量產 HBM2E,而 HBM2 的 Aquabolt 仍將會持續供貨。

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