14nm FinFET 之後，跟著就要進入 10nm FinFET 製程的領域。
GlobalFoundries 確定退出 10nm 製程戰，跟著 Intel、TSMC 以及 Samsung Electronics 都會在 2017 年進入 10nm FinFET 製程。
Samsung Electronics 在 10 月 17 日發布新聞稿，宣布開始量產 10nm FinFET 製程的 SoC，而這動作要較 Intel 與 TSMC 快。可以預測 10nm 主要產品除了自家在 2017 年旗艦的 Exynos 處理器外，另一個將會是 Qualcomm Snapdragon 830 or 835。
不過，Qualcomm 並未針對此事做出任何回應。
進入 10nm FinFET 製程之後，對於晶圓廠而言，將會是一個很大的門檻。
製程越先進，也就意味著在同一大小的處理器中，可以塞入更多的電晶體以提升整體效能表現。Samsung Electroncis 在新聞稿中提到，相較於 14nm FinFET，全新的 10nm FinFET 製程將可以提升 27% 的效能表現、降低 40% 的功耗以及提升 30% 的面積效率。
目前 Samsung Electronics 第一代 10nm FinFET 製程為 10LPE，而在 2017 下半年推出 10LPP 的第二代製程。
