「過熱問題」可能是 Qualcomm 心中的痛，特別是近期韓國媒體放出的消息。
作為公司在 2016 年最重要的一款產品，Qualcomm 絕對不允許 Snapdragon 820 這款 SoC 出現任何瑕疵或是問題。
對於我們早前引述韓國媒體的報導，Qualcomm 在 29 日釋出回應。
Qualcomm 否認該報導中提到 Snapdragon 820「過熱」說法。
官方聲明中同時提到，Snapdragon 820 這款 SoC 內的 IP blocks 效能或是功耗表現都有很大改善，而這些改善都達到 Qualcomm 的設計指標，用以反駁韓國媒體報導中提到的「溫度」以及「優化」兩個說法。
近期部分媒體報導關於 Snapdragon 820 性能的傳聞是不實消息。Snapdragon 820 處理器所有的 IP blocks 皆實現了提升和增強，並採用第二代 14 奈米製程工藝製造。Snapdragon 820 處理器達到了我們的全部設計指標。更重要的是，Snapdragon 820 滿足了 OEM 廠商對其終端散熱和性能規格的要求。
早前資訊已經確認 Qualcomm Snapdragon 820 與部分 Apple A9 SoC 同為 Samsung Electronics 14nm FinFET 製程，但在這次聲明稿中，我們確定 Qualcomm Snapdragon 820 部分會是 14nm FinFET LPP（Enhanced version with higher performance and lower power; a full platform offering with MPW, IP enablement and wide application coverage）製程；Apple A9 SoC 為 14nm FinFET LPE（Early time-to-market version with area and power benefits for mobility application）。
一般相信，11 月進入量產的 Samsung Exynos 8890 與 Qualcomm Snapdragon 820 相同，均採用 14nm FinFET LPP 製程。
Qualcomm Snapdragon 820 為四核心處理器（代號為 Kryo），同時搭配 Adreno 530 GPU、Hexagon 680 DSP 以及 X12 LTE Modem 組成一顆性能強大的 SoC。相較於 Qualcomm Snapdragon 810 以 ARM Cortex-A57 搭配 ARM Cortex-A53 組成八核心處理器，我們對核心數較少，且採用自主架構處理器的 Qualcommm Snadragon 820 有著更大的興趣。
消息陸續出現，間接表示很快將會見到搭載這款 SoC 的裝置在市場上推出。
進入 11 月，歐美市場開始進入購物季，但過去的經驗告訴我們，各品牌在這節骨眼上推新旗艦裝置的可能性不大，整體來說，Qualcomm Snapdragon 820 裝置登場時間點最快會在 2016 年 1 月舉行的 CES。
其中客戶之一的 Samsung Electronics 也會在新一代旗艦手機上導入 Qualcomm Snapdragon 820 SoC。