10nm FinFET 製程，Qualcomm Snapdragon 835 確定後…
Qualcomm 公布 10nm FinFET 製程，並導入 Quick Charge 4 快充技術的 Qualcomm Snapdragon 835 後，其規格更成為市場矚目的焦點。對於 Qualcomm Snapdragon 835，目前可確定的就是 10nm FinFET 製程、Quick Charge 4 與 Qualcomm Snapdragon X16 LTE Modem。
不過，稍早有一些關於 Qualcomm Snapdragon 835 的資訊被揭露。
如果資訊沒有錯誤的話，Qualcomm Snapdragon 835 將使用 Kryo 200 架構。至於什麼是 Kryo 200 架構，目前推測它是 Kryo 架構的升級版，那會有什麼特色，目前不知道；GPU 部分則是 Adreno 540，一般相信是 Adreno 530 的升級版，在架構上並不會有太大變化。
核心數量部分將升級至 4 + 4 配置。
關於處理器核心數量提升，其實市場早前就有出現類似說詞，但後來的消息大部分均認為會維持在 4 核心配置，因此 4 + 4 核心的聲音就慢慢弱掉。
此外，記憶體部分也將開始支援 LPDDR4X 規範，其中 SK Hynix 與 Samsung Electronics 都已經準備好。
Qualcomm Snapdragon 835 外，其實代號 MSM8976 Plus 的 Qualcomm Snapdragon 660 更引我們關注。
Samsung Electronics 14nm LPP 製程的 Qualcomm Snapdragon 660 可能使用 Kryo 架構，但也有可能是 ARM Cortex-A73 搭配 ARM Cortex-A53，目前對於這款 SoC 的資訊仍舊太少，就暫且相信它會如此。雖然處理器架構相當先進，但 Modem 部分維持目前 Snapdragon 600 系列主流的 Snapdragon X10 LTE Modem。
記憶體部分支援到 LPDDR4，並可以搭配高速的 UFS 2.1，就帳面上的規格來說，Qualcomm Snapdragon 660 與 Huawei Kirin 960 有點相似。
10nm FinFET 製程的 Qualcomm Snapdragon 835 沒意外的話，首發將交給 Samsung GALAXY S8，而中國品牌最快也要到 3 月份左右才會有裝置登場；14nm FinFET LPP 的 Qualcomm Snapdragon 660 最快會在第二季開始推出裝置，目前來看，一線的中國品牌將會選擇這款 SoC。
