除了 Qualcomm Snapdragon 835 外，Qualcomm 還公佈 Quick Charge 4。
10nm 製程的 Qualcomm Snapdragon 835 預期將帶來更強大的效能表現，同時也將會導入 Qualcomm Quick Charge 4 快充技術。
就新聞稿來說，Qualcomm Quick Charge 4 可以在 5 分鐘的充電時間，讓裝置的續航時間延長至 5 小時或者是更長時間。此外，與 Quick Charge 3.0 相比，使用者裝置充電的速度可以獲得 20% 提升，而轉換效率的提升更高達 30%；Quick Charge 4 更結合了 USB Type-C 連接埠與對 USB-PD（USB Power Delivery）的支援。
Quick Charge 4 採用 Qualcomm Technologies 最新版本的最佳電壓智慧協商電源（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage ，INOV）管理演算法。
此外，Quick Charge 4 能更準確地測量電壓、電流與溫度，同時保護電池、系統、電源線與連接器。同時，透過額外保護層的增加，防治電池過度充電，並且在每一個充電週期中調整輸出電流。
對應到 Quick Charge 4，Qualcomm Technologies 也推出 SMB1380 與 SMB1381 兩款電源管理晶片（PMIC）。
Qualcomm Snapdragon 835 將會是第一款導入 Quick Charge 4 快充技術的 SoC。