強調容量密度、介面速度、性能皆有所提升，得以滿足 AI 包含在內的各式應用需求。
標籤: 3D NAND Flash
Micron 宣布完成 232 層 3D NAND Flash 開發設計，預定今年底量產
相距 2 年左右的時間，3D NAND Flash 技術從 176 層提升至 232 層。
鎖定中高階行動裝置，Western Digital iNAND MC EU321 採用 96 層 3D NAND Flash
針對行動通訊裝置推出，並提供最大 256GB 的容量供客戶選擇。
製程推進、GDDR6 與 64 層 3D NAND Flash，Micron 更新 2017 年度產品規劃
在 Micron 2017 年度的分析師會議上，這家公司給出一些方向與目標。
Intel SSD 600p、6000p、E 6000p、E5420s、DC P3520 與 DC S3520，都是 3D NAND Flash
Intel SSD 600p 以外，實際上還有一系列採用 3D NAND Flash 的產品。
新品將陸續登場，Intel Optane 技術搭配 Kaby Lake 平台
Pro 5400 與 540s SSD 兩款主流產品後，Intel 今年應該還會端出新品。
Fab 2 進行 3D NAND Flash 設備安裝，Toshiba 與 SanDisk 共同出資
外界對於 Western Digital 買 SanDisk 的消息不斷，但這不影響任何合作案。
