手機功能性越來越五花八門，我們是否需要那麼多記憶體，這問題顯得多餘。
製造、設計與半導體
傳 Toshiba、WD 開發出 128 層 3D NAND，稱為 BiCS-5 寫入速度倍增
128 層 3D NAND 確定是未來式，或許會在一兩年後大舉產出。
Thunderbolt 3 與 USB 3.2 大融合，Intel 聯手 USB 推廣小組制定 USB 4 草案
USB 3.2 實體產品還沒有個影子，Intel 和 USB Promoter Group 喊出 U […]
傳 USB-IF 有意再玩改名稱把戲，將 USB 3.1 / 3.0 也都稱作 USB 3.2
USB-IF 這盤算看來勢在必行，對廠商與消費者來說卻可能顯得多餘。
介面頻寬達 2900MB/s，Toshiba 發布業界首款 UFS 3.0 規範產品
UFS 正加速取代 eMMC 成為手機新寵，UFS 3.0 理論總和頻寬直逼 PCIe 3.0 x4 […]
PCI-SIG 發布 PCIe 5.0 v0.9 規範，最終正式版本近了
PCIe 4.0 上路時程稍有延遲，PCIe 5.0 緊跟在後恐出現變數。
USB-IF 發布 USB Type-C 認證計劃，防止惡意入侵並提升用電安全
USB Type-C 便利性固然極佳，相關安全機制仍不斷提升，並且有待落實。
SK hynix 第二代 10nm 製程 DDR4 DRAM 開發完成，2019 年第一季量產
Samsung 總是走在前頭，SK hynix 與 Micron 在後追趕。
