在 3D NAND 堆疊技術發展競賽,SK hynix 與 Toshiba 近來動作相當積極。
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Samsung 銷售營收銳減,Intel 重登半導體龍頭位置
半導體龍頭寶座競賽,猶如是十年河東、十年河西。
4D NAND 架構 1Tb 容量,SK Hynix 推出 96 層 QLC 快閃記憶體
3D NAND 堆疊發展至 96 層,這是接下來一段時間內的市場主流。
鎖定 NVIDIA Quadro P5000,8GB HBM2 記憶體的 Radeon Pro WX 8200 登場
很久沒有更新的 Radeon Pro WX 產品線有了新夥伴加入。
SK Hynix 推出採用 72 層 3D NAND Flash 與自家控制器的企業級 SSD
一般在 64 層 3D NAND,但 SK Hynix 宣布推出 72 層 3D NAND 產品。
SK Hynix:GDDR6 記憶體已經就緒
Micron 與 Samsung 之後,SK Hynix 的 GDDR6 記憶體也有譜了。
比 GDDR5 記憶體快,SK Hynix 將 GDDR6 加入產品目錄
GTC 2017 展出外,SK Hynix 也也將 GDDR6 記憶體放在 Q2 型錄上。
為 Volta 做好準備,SK Hynix 展出 GDDR6 記憶體
作為新一代 GPU 用記憶體,SK Hynix 在 GTC 2017 上展示了 GDDR6 晶圓。